Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
Những tác giả chính: | Castell, M, Simpson, T, Mitchell, I, Perovic, D, Baribeau, J |
---|---|
Định dạng: | Journal article |
Được phát hành: |
1999
|
Những quyển sách tương tự
-
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon studied by secondary electron imaging
Bằng: Castell, M, et al.
Được phát hành: (1999) -
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon: dopant mapping through secondary electron imaging
Bằng: Castell, M, et al.
Được phát hành: (1999) -
Kinetics of the permanent deactivation of the boron-oxygen complex in crystalline silicon as a function of illumination intensity
Bằng: Verena Steckenreiter, et al.
Được phát hành: (2017-03-01) -
Plasma immersion ion implantation of boron for ribbon silicon solar cells
Bằng: Derbouz K., et al.
Được phát hành: (2013-09-01) -
The Modeling of the Radiation Enhanced Diffusion of Boron in Silicon
Bằng: Gadiyak, G.V., et al.
Được phát hành: (1994-06-01)