Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
TIME-DEPENDENT ANOMALOUS THRES...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
TIME-DEPENDENT ANOMALOUS THRESHOLD IN SILICON MOS DEVICES FABRICATED ON HIGH-RESISTIVITY SUBSTRATES
Бібліографічні деталі
Автори:
Nicholas, R
,
Stradling, R
Формат:
Journal article
Опубліковано:
1976
Примірники
Опис
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Схожі ресурси
OBSERVATION BY PHOTOCONDUCTIVITY OF STRAIN SPLITTING OF SHALLOW BULK DONORS LOCATED NEAR TO SURFACE IN SILICON MOS DEVICES
за авторством: Nicholas, R, та інші
Опубліковано: (1976)
Modeling poly-silicon gate depletion in submicron MOS devices
за авторством: Li, James Chingwei, 1975-
Опубліковано: (2013)
Threshold bounce — occupancy-dependent modulation of the discriminating threshold in silicon detectors
за авторством: Basso, M, та інші
Опубліковано: (2024)
Instabilities in MOS devices/
за авторством: 347389 Davis, J. R. (John Richard), 1951-
Опубліковано: (1981)
The Development of Semi-Insulating Silicon Substrates for Microwave Devices
за авторством: Jordan, D, та інші
Опубліковано: (2010)