İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
TIME-DEPENDENT ANOMALOUS THRES...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
TIME-DEPENDENT ANOMALOUS THRESHOLD IN SILICON MOS DEVICES FABRICATED ON HIGH-RESISTIVITY SUBSTRATES
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Nicholas, R
,
Stradling, R
Materyal Türü:
Journal article
Baskı/Yayın Bilgisi:
1976
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Benzer Materyaller
OBSERVATION BY PHOTOCONDUCTIVITY OF STRAIN SPLITTING OF SHALLOW BULK DONORS LOCATED NEAR TO SURFACE IN SILICON MOS DEVICES
Yazar:: Nicholas, R, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1976)
Modeling poly-silicon gate depletion in submicron MOS devices
Yazar:: Li, James Chingwei, 1975-
Baskı/Yayın Bilgisi: (2013)
Threshold bounce — occupancy-dependent modulation of the discriminating threshold in silicon detectors
Yazar:: Basso, M, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2024)
Instabilities in MOS devices/
Yazar:: 347389 Davis, J. R. (John Richard), 1951-
Baskı/Yayın Bilgisi: (1981)
The Development of Semi-Insulating Silicon Substrates for Microwave Devices
Yazar:: Jordan, D, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2010)