Pular para o conteúdo
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Todos os campos
Título
Autor
Assunto
Número de Chamada
ISBN/ISSN
Tag
Buscar
Avançada
TIME-DEPENDENT ANOMALOUS THRES...
Citar
Enviar por SMS
Enviar por e-mail
Imprimir
Exportar registro
Exportar para RefWorks
Exportar para EndNoteWeb
Exportar para EndNote
Link permanente
TIME-DEPENDENT ANOMALOUS THRESHOLD IN SILICON MOS DEVICES FABRICATED ON HIGH-RESISTIVITY SUBSTRATES
Detalhes bibliográficos
Principais autores:
Nicholas, R
,
Stradling, R
Formato:
Journal article
Publicado em:
1976
Itens
Descrição
Registros relacionados
Registro fonte
Registros relacionados
OBSERVATION BY PHOTOCONDUCTIVITY OF STRAIN SPLITTING OF SHALLOW BULK DONORS LOCATED NEAR TO SURFACE IN SILICON MOS DEVICES
por: Nicholas, R, et al.
Publicado em: (1976)
Synthesis of Bioactive Three-dimensional Silicon-oxide Nanofibrous Structures on the Silicon Substrate for Bionic Devices’ Fabrication
por: Candace Colpitts, et al.
Publicado em: (2016-02-01)
Modeling poly-silicon gate depletion in submicron MOS devices
por: Li, James Chingwei, 1975-
Publicado em: (2013)
ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
por: Nicholas, R, et al.
Publicado em: (1980)
Threshold bounce — occupancy-dependent modulation of the discriminating threshold in silicon detectors
por: Basso, M, et al.
Publicado em: (2024)