İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Diğer sürümleri göster (1)
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Materyal Türü:
Journal article
Baskı/Yayın Bilgisi:
1989
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Diğer sürümler (1)
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Diğer Bilgiler
Özet:
Benzer Materyaller
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Yazar:: Fell, T, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Yazar:: Wilshaw, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Yazar:: Wilshaw, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Yazar:: Wilshaw, P, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
Yazar:: Fell, T, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)