Μετάβαση στο περιεχόμενο
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Γλώσσα
Όλα τα πεδία
Τίτλος
Συγγραφέας
Θέμα
Ταξιθετικός Αριθμός
ISBN/ISSN
Ετικέτα
Αναζήτηση
Σύνθετη
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Εμφάνιση παραπομπής
Αποστολή με SMS
Αποστολή με email
Εκτύπωση
Αποθήκευση
Αποθήκευση σε RefWorks
Αποθήκευση σε EndNoteWeb
Αποθήκευση σε EndNote
Μόνιμος σύνδεσμος
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Εμφάνιση άλλων εκδόσεων (1)
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Μορφή:
Journal article
Έκδοση:
1989
Τεκμήρια
Περιγραφή
Άλλες εκδόσεις (1)
Παρόμοια τεκμήρια
Λεπτομερής προβολή
Παρόμοια τεκμήρια
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
ανά: Fell, T, κ.ά.
Έκδοση: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
ανά: Wilshaw, P, κ.ά.
Έκδοση: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
ανά: Wilshaw, P, κ.ά.
Έκδοση: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
ανά: Wilshaw, P, κ.ά.
Έκδοση: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
ανά: Fell, T, κ.ά.
Έκδοση: (1991)