Salta al contenuto
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Lingua
Tutti i Campi
Titolo
Autore
Soggetto
Collocazione
ISBN/ISSN
Tag
Cerca
Avanzata
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Citazione
Invia SMS
Invia email
Stampa
Esporta il record
Esporta a RefWorks
Esporta a EndNoteWeb
Esporta a EndNote
PLink permanente
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Mostra altre versioni (1)
Dettagli Bibliografici
Autori principali:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Natura:
Journal article
Pubblicazione:
1989
Posseduto
Descrizione
Altre versioni (1)
Documenti analoghi
MARC21
Documenti analoghi
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
di: Fell, T, et al.
Pubblicazione: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
di: Wilshaw, P, et al.
Pubblicazione: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
di: Wilshaw, P, et al.
Pubblicazione: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
di: Wilshaw, P, et al.
Pubblicazione: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
di: Fell, T, et al.
Pubblicazione: (1991)