تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Lakrimi, M
,
Mason, N
,
Nicholas, R
,
Stringfellow, G
,
Summers, G
,
Walker, P
التنسيق:
Conference item
منشور في:
1991
المقتنيات
الوصف
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
الوصف
الملخص:
مواد مشابهة
OPTIMIZATION OF THE GROWTH BY MOVPE OF STRAINED GASB/INAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES ON [111] GAAS SUBSTRATES
حسب: Lakrimi, M, وآخرون
منشور في: (1992)
GASB/INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE
حسب: Haywood, S, وآخرون
منشور في: (1991)
GASB INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE - EFFECT OF GAS SWITCHING SEQUENCES ON INTERFACE QUALITY
حسب: Lakrimi, M, وآخرون
منشور في: (1991)
Structural and optical characterisation of MOVPE self-assembled InSb quantum dots in InAs and GaSb matrices
حسب: Norman, A, وآخرون
منشور في: (1997)
Growth parameters of InAs/GaAs quantum dots grown by MOVPE
حسب: Roslan, Sharizar, وآخرون
منشور في: (2006)