Atom probe tomography characterisation of a laser diode structure grown by molecular beam epitaxy
Hlavní autoři: | Bennett, SE, Smeeton, T, Saxey, D, Smith, G, Hooper, SE, Heffernan, J, Humphreys, C, Oliver, R |
---|---|
Médium: | Journal article |
Vydáno: |
2012
|
Podobné jednotky
-
Atom probe tomography assessment of the impact of electron beam exposure on InxGa1-xN/GaN quantum wells
Autor: Bennett, SE, a další
Vydáno: (2011) -
Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
Autor: Zhang, Peng Hua
Vydáno: (2009) -
The structural characterisation of molecular beam epitaxy-grown exchange-biased bilayers
Autor: Choi, Y, a další
Vydáno: (2002) -
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
Autor: Lozano-Perez, S, a další
Vydáno: (2010) -
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
Autor: Lozano-Perez, S, a další
Vydáno: (2010)