Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Atom probe tomography characte...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
Atom probe tomography characterisation of a laser diode structure grown by molecular beam epitaxy
Библиографические подробности
Главные авторы:
Bennett, SE
,
Smeeton, T
,
Saxey, D
,
Smith, G
,
Hooper, SE
,
Heffernan, J
,
Humphreys, C
,
Oliver, R
Формат:
Journal article
Опубликовано:
2012
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
Atom probe tomography assessment of the impact of electron beam exposure on InxGa1-xN/GaN quantum wells
по: Bennett, SE, и др.
Опубликовано: (2011)
Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
по: Zhang, Peng Hua
Опубликовано: (2009)
The structural characterisation of molecular beam epitaxy-grown exchange-biased bilayers
по: Choi, Y, и др.
Опубликовано: (2002)
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
по: Lozano-Perez, S, и др.
Опубликовано: (2010)
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
по: Lozano-Perez, S, и др.
Опубликовано: (2010)