Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
Atom probe tomography characte...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
Atom probe tomography characterisation of a laser diode structure grown by molecular beam epitaxy
Бібліографічні деталі
Автори:
Bennett, SE
,
Smeeton, T
,
Saxey, D
,
Smith, G
,
Hooper, SE
,
Heffernan, J
,
Humphreys, C
,
Oliver, R
Формат:
Journal article
Опубліковано:
2012
Примірники
Опис
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Схожі ресурси
Atom probe tomography assessment of the impact of electron beam exposure on InxGa1-xN/GaN quantum wells
за авторством: Bennett, SE, та інші
Опубліковано: (2011)
Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Zhang, Peng Hua
Опубліковано: (2009)
The structural characterisation of molecular beam epitaxy-grown exchange-biased bilayers
за авторством: Choi, Y, та інші
Опубліковано: (2002)
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
за авторством: Lozano-Perez, S, та інші
Опубліковано: (2010)
Atom-probe tomography characterization of the oxidation of stainless steel
за авторством: Lozano-Perez, S, та інші
Опубліковано: (2010)