Salta al contenuto
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Lingua
Tutti i Campi
Titolo
Autore
Soggetto
Collocazione
ISBN/ISSN
Tag
Cerca
Avanzata
REACTION-MECHANISMS FOR THE PH...
Citazione
Invia SMS
Invia email
Stampa
Esporta il record
Esporta a RefWorks
Esporta a EndNoteWeb
Esporta a EndNote
PLink permanente
REACTION-MECHANISMS FOR THE PHOTON-ENHANCED ETCHING OF SEMICONDUCTORS - AN INVESTIGATION OF THE UV-STIMULATED INTERACTION OF CHLORINE WITH SI(100)
Dettagli Bibliografici
Autori principali:
Jackman, R
,
Ebert, H
,
Foord, J
Natura:
Journal article
Pubblicazione:
1986
Posseduto
Descrizione
Documenti analoghi
MARC21
Descrizione
Riassunto:
Documenti analoghi
THE INTERACTION OF WF6 WITH SI(100) - THERMAL AND PHOTON INDUCED REACTIONS
di: Jackman, R, et al.
Pubblicazione: (1988)
ADSORPTION, ETCHING AND PHOTOINDUCED REACTIONS AT THE SI(100)-CCL4 INTERFACE
di: French, C, et al.
Pubblicazione: (1989)
Adsorption, etching and photo-induced reactions at the Si(100)-CCl 4 interface
di: French, C, et al.
Pubblicazione: (1989)
CHEMICAL PRECURSORS FOR GAAS ETCHING WITH LOW-ENERGY ION-BEAMS - CHLORINE ADSORPTION ON GAAS(100)
di: Jackman, R, et al.
Pubblicazione: (1991)
THERMAL AND ION-BEAM-INDUCED ETCHING OF INP WITH CHLORINE
di: Murrell, A, et al.
Pubblicazione: (1989)