Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
REACTION-MECHANISMS FOR THE PH...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
REACTION-MECHANISMS FOR THE PHOTON-ENHANCED ETCHING OF SEMICONDUCTORS - AN INVESTIGATION OF THE UV-STIMULATED INTERACTION OF CHLORINE WITH SI(100)
Библиографические подробности
Главные авторы:
Jackman, R
,
Ebert, H
,
Foord, J
Формат:
Journal article
Опубликовано:
1986
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
THE INTERACTION OF WF6 WITH SI(100) - THERMAL AND PHOTON INDUCED REACTIONS
по: Jackman, R, и др.
Опубликовано: (1988)
ADSORPTION, ETCHING AND PHOTOINDUCED REACTIONS AT THE SI(100)-CCL4 INTERFACE
по: French, C, и др.
Опубликовано: (1989)
Adsorption, etching and photo-induced reactions at the Si(100)-CCl 4 interface
по: French, C, и др.
Опубликовано: (1989)
CHEMICAL PRECURSORS FOR GAAS ETCHING WITH LOW-ENERGY ION-BEAMS - CHLORINE ADSORPTION ON GAAS(100)
по: Jackman, R, и др.
Опубликовано: (1991)
THERMAL AND ION-BEAM-INDUCED ETCHING OF INP WITH CHLORINE
по: Murrell, A, и др.
Опубликовано: (1989)