Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
Structural and electronic prop...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
פורמט:
Journal article
יצא לאור:
2007
מלאי ספרים
תיאור
פריטים דומים
תצוגת צוות
תיאור
סיכום:
פריטים דומים
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
מאת: Devynck, F, et al.
יצא לאור: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
מאת: Devynck, F, et al.
יצא לאור: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
מאת: Devynck, F, et al.
יצא לאור: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
מאת: Giustino, F, et al.
יצא לאור: (2004)