Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Hlavní autoři: | Devynck, F, Giustino, F, Broqvist, P, Pasquarello, A |
---|---|
Médium: | Journal article |
Vydáno: |
2007
|
Podobné jednotky
-
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
Autor: Devynck, F, a další
Vydáno: (2005) -
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
Autor: Devynck, F, a další
Vydáno: (2007) -
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
Autor: Devynck, F, a další
Vydáno: (2007) -
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
Autor: Giustino, F, a další
Vydáno: (2005) -
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Autor: Giustino, F, a další
Vydáno: (2004)