Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
Үндсэн зохиолчид: | Devynck, F, Giustino, F, Broqvist, P, Pasquarello, A |
---|---|
Формат: | Journal article |
Хэвлэсэн: |
2007
|
Ижил төстэй зүйлс
Ижил төстэй зүйлс
-
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
-н: Devynck, F, зэрэг
Хэвлэсэн: (2005) -
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
-н: Devynck, F, зэрэг
Хэвлэсэн: (2007) -
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
-н: Devynck, F, зэрэг
Хэвлэсэн: (2007) -
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
-н: Giustino, F, зэрэг
Хэвлэсэн: (2005) -
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
-н: Giustino, F, зэрэг
Хэвлэсэн: (2004)