تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
Structural and electronic prop...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
Structural and electronic properties of an abrupt 4H-SiC(0001)/SiO2 interface model: Classical molecular dynamics simulations and density functional calculations
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Devynck, F
,
Giustino, F
,
Broqvist, P
,
Pasquarello, A
التنسيق:
Journal article
منشور في:
2007
المقتنيات
الوصف
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
مواد مشابهة
Abrupt model interface for the 4H(1000)SiC-SiO2 interface
حسب: Devynck, F, وآخرون
منشور في: (2005)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: structural and electronic properties
حسب: Devynck, F, وآخرون
منشور في: (2007)
Atomistic model of the 4H(0001)SiC-SiO2 interface: Structural and electronic properties
حسب: Devynck, F, وآخرون
منشور في: (2007)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
حسب: Giustino, F, وآخرون
منشور في: (2005)
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
حسب: Giustino, F, وآخرون
منشور في: (2004)