Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
Үндсэн зохиолчид: | Goldfarb, I, Owen, J, Hayden, P, Bowler, DR, Miki, K, Briggs, G |
---|---|
Формат: | Journal article |
Хэвлэсэн: |
1997
|
Ижил төстэй зүйлс
Ижил төстэй зүйлс
-
Gas-source growth of group IV semiconductors: I. Si(001) nucleation mechanisms
-н: Owen, J, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997) -
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997) -
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
-н: Owen, J, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997) -
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997) -
Nucleation and growth of CoSi2 dots on Si(001)
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1999)