Агуулга руу алгасах
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Хэл сонгох
Бүх талбарууд
Гарчиг
Зохиогч
Сэдэв
Зохиогчийн тэмдэгт
ISBN/ISSN
Шошго
Хайх
Дэлгэрэнгүй
Gas-source growth of group IV...
Үүнийг ишлэх
Үүнийг мессежээр илгээх
Үүнийг цахим шуудангаар илгээх
Хэвлэх
Бүртгэлийг экспортлох
RefWorks руу экспортлох
EndNoteWeb руу экспортлох
EndNote руу экспортлох
Байнгын холбоос
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
Номзүйн дэлгэрэнгүй
Үндсэн зохиолчид:
Goldfarb, I
,
Owen, J
,
Hayden, P
,
Bowler, DR
,
Miki, K
,
Briggs, G
Формат:
Journal article
Хэвлэсэн:
1997
Түр хойшлуулсан зүйлс
Тодорхойлолт
Ижил төстэй зүйлс
Ажилтнуудыг харах
Ижил төстэй зүйлс
Gas-source growth of group IV semiconductors: I. Si(001) nucleation mechanisms
-н: Owen, J, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
-н: Owen, J, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997)
Nucleation and growth of CoSi2 dots on Si(001)
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1999)