Ga door naar de inhoud
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Taal
Alle velden
Titel
Auteur
Onderwerp
Plaatsingsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Zoek
Geavanceerd
EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCA...
Citeren
SMS dit
Versturen
Afdrukken
Exporteer Record
Exporteer naar RefWorks
Exporteer naar EndNoteWeb
Exporteer naar EndNote
Permalink
EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:
Fell, T
,
Wilshaw, P
,
Decoteau, M
Formaat:
Journal article
Gepubliceerd in:
1993
Exemplaren
Omschrijving
Gelijkaardige items
Personeel
Gelijkaardige items
QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
door: Fell, T, et al.
Gepubliceerd in: (1991)
QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
door: Fell, T, et al.
Gepubliceerd in: (1991)
AN EBIC INVESTIGATION OF ALPHA, BETA AND SCREW DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
door: Galloway, S, et al.
Gepubliceerd in: (1993)
An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
door: Wilshaw, P, et al.
Gepubliceerd in: (1984)
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
door: Ourmazd, A, et al.
Gepubliceerd in: (1983)