Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SE...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Zobrazit další vydání (1)
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Czernuszka, J
,
Long, N
,
Hirsch, P
Médium:
Journal article
Vydáno:
1991
Jednotky
Popis
Další vydání (1)
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Popis
Shrnutí:
Podobné jednotky
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Autor: Czernuszka, J, a další
Vydáno: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
Autor: Wilkinson, A, a další
Vydáno: (1993)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
Autor: Czernuszka, J, a další
Vydáno: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
Autor: Wilkinson, A, a další
Vydáno: (1993)
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
Autor: Wilkinson, A, a další
Vydáno: (1994)