İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SE...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Diğer sürümleri göster (1)
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Czernuszka, J
,
Long, N
,
Hirsch, P
Materyal Türü:
Journal article
Baskı/Yayın Bilgisi:
1991
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Diğer sürümler (1)
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Diğer Bilgiler
Özet:
Benzer Materyaller
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Yazar:: Czernuszka, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
Yazar:: Wilkinson, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1993)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
Yazar:: Czernuszka, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
Yazar:: Wilkinson, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1993)
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
Yazar:: Wilkinson, A, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1994)