ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING

ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING

Показати інші версії (1)

Бібліографічні деталі
Автори:	Czernuszka, J, Long, N, Hirsch, P
Формат:	Journal article
Опубліковано:	1991

Схожі ресурси

ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
за авторством: Czernuszka, J, та інші
Опубліковано: (1991)

ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1993)

ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
за авторством: Czernuszka, J, та інші
Опубліковано: (1991)

ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1993)

Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1994)

IMAGING OF SEMICONDUCTOR DEFECTS USING ION CHANNELING
за авторством: King, P, та інші
Опубліковано: (1993)

Multiple scattering simulation of electron channelling contrast images of dislocations at interfaces
за авторством: Dudarev, S, та інші
Опубліковано: (1995)

EBIC CONTRAST OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1991)

IMAGING OF DISLOCATIONS USING BACKSCATTERED ELECTRONS IN A SCANNING ELECTRON-MICROSCOPE
за авторством: Czernuszka, J, та інші
Опубліковано: (1990)

THE EFFECTS OF SURFACE STRESS-RELAXATION ON ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGES OF DISLOCATIONS
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1995)

Characterizing dislocation structures in bulk fatigued copper single crystals using electron channelling contrast imaging (ECCI)
за авторством: Ahmed, J, та інші
Опубліковано: (1997)

Survey of semiconductor physics : electrons and other particles in bulk semiconductors /
за авторством: 342198 Boer, Karl W.
Опубліковано: (1990)

Electron channelling contrast imaging of dislocation substructures in the vicinity of short fatigue cracks in Cu
за авторством: Ahmed, J, та інші
Опубліковано: (1998)

Defect electronics in semiconductors
за авторством: 269076 Matare, Herbert Franz
Опубліковано: (1971)

The methodology of modeling of electronic properties of bulk semiconductor compounds
за авторством: A. V. Krivosheeva, та інші
Опубліковано: (2019-06-01)

OpenECCI - A Streamlined Open-Source Workflow for Electron Channelling Contrast Imaging of Crystal Defects
за авторством: Xu Zhou, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

Electron channeling and ion channeling contrast imaging of dislocations in nitride thin films
за авторством: Trager-Cowan, C, та інші
Опубліковано: (2008)

Theory of defects in solids : electronic structure of defects in insulators and semiconductors
за авторством: 375532 Stoneham, A. M.
Опубліковано: (1975)

EFFECT OF SURFACE-CHARGE ON THE DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Czernuszka, J
Опубліковано: (1989)

EFFECT OF SURFACE-CHARGE ON THE DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Czernuszka, J
Опубліковано: (1989)

Examination of dislocation substructures in fatigued Cu using electron channelling contrast imaging
за авторством: Ahmed, J, та інші
Опубліковано: (1999)

Characterization of nitride thin films by electron backscatter diffraction and electron channeling contrast imaging
за авторством: Trager-Cowan, C, та інші
Опубліковано: (2006)

Characterisation of nitride thin films by electron backscatter diffraction and electron channelling contrast imaging
за авторством: Trager-Cowan, C, та інші
Опубліковано: (2006)

Hydrogen in semiconductors : bulk and surface properties/
за авторством: Trieste IUPAP-ICTP Semiconductor Symposium (6th : 1990 : Trieste, Italy), та інші
Опубліковано: (1991)

Defects in semiconductors/
за авторством: Narayan, J., та інші
Опубліковано: (1980)

Electron diffraction based techniques in scanning electron microscopy of bulk materials
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1998)

Electron diffraction based techniques in scanning electron microscopy of bulk materials
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1997)

Weakly Supervised Image Segmentation for Detecting Defects From Scanning Electron Microscopy Images in Semiconductor
за авторством: Younghwan Lee, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

Depth Dependence of Electron Channeling Contrast Imaging in Gallium Nitride
за авторством: Lavallee Etienne, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

Electron backscatter diffraction and electron channeling contrast imaging of tilt and dislocations in nitride thin films
за авторством: Trager-Cowan, C, та інші
Опубліковано: (2007)

Compound semiconductor bulk materials and characterizations /
за авторством: 173111 Oda, Osamu
Опубліковано: (2007)

Quantitative simulations of electron channelling patterns and electron backscattering from crystals
за авторством: Dudarev, S, та інші
Опубліковано: (1994)

Characterizing dislocation structure evolution during cyclic deformation using electron channelling contrast imaging
за авторством: Ahmed, J, та інші
Опубліковано: (2006)

Electron Channeling Contrast Imaging (ECCI) of Ion Battery Cathode Materials
за авторством: Naghizadeh Meysam, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

A Review on Machine and Deep Learning for Semiconductor Defect Classification in Scanning Electron Microscope Images
за авторством: Francisco López de la Rosa, та інші
Опубліковано: (2021-10-01)

Automatic Semiconductor Wafer Image Segmentation for Defect Detection Using Multilevel Thresholding
за авторством: Saad N.H., та інші
Опубліковано: (2016-01-01)

SEM imaging of contrast arising from different doping concentrations in semiconductors
за авторством: Sealy, C, та інші
Опубліковано: (1995)

Weyl points and exceptional rings with polaritons in bulk semiconductors
за авторством: R. L. Mc Guinness, та інші
Опубліковано: (2020-11-01)

Bulk versus Contact Doping in Organic Semiconductors
за авторством: Chang-Hyun Kim
Опубліковано: (2021-06-01)

Stabilization of semiconductor surfaces through bulk dopants
за авторством: Nikolaj Moll, та інші
Опубліковано: (2013-01-01)