Pular para o conteúdo
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Todos os campos
Título
Autor
Assunto
Número de Chamada
ISBN/ISSN
Tag
Buscar
Avançada
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SE...
Citar
Enviar por SMS
Enviar por e-mail
Imprimir
Exportar registro
Exportar para RefWorks
Exportar para EndNoteWeb
Exportar para EndNote
Link permanente
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Mostrar outras versões (1)
Detalhes bibliográficos
Principais autores:
Czernuszka, J
,
Long, N
,
Hirsch, P
Formato:
Journal article
Publicado em:
1991
Itens
Descrição
Outras versões (1)
Registros relacionados
Registro fonte
Registros relacionados
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
por: Czernuszka, J, et al.
Publicado em: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
por: Wilkinson, A, et al.
Publicado em: (1993)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
por: Czernuszka, J, et al.
Publicado em: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
por: Wilkinson, A, et al.
Publicado em: (1993)
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
por: Wilkinson, A, et al.
Publicado em: (1994)