Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SE...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
Show other versions (1)
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Czernuszka, J
,
Long, N
,
Hirsch, P
פורמט:
Journal article
יצא לאור:
1991
מלאי ספרים
תיאור
Other Versions (1)
פריטים דומים
תצוגת צוות
פריטים דומים
ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
מאת: Czernuszka, J, et al.
יצא לאור: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
מאת: Wilkinson, A, et al.
יצא לאור: (1993)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
מאת: Czernuszka, J, et al.
יצא לאור: (1991)
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
מאת: Wilkinson, A, et al.
יצא לאור: (1993)
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
מאת: Wilkinson, A, et al.
יצא לאור: (1994)