Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
A novel mechanism of voltage s...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Näytä muut versiot (2)
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Rapedius, M
,
Schewe, M
,
Nematian-Ardestani, E
,
Linke, T
,
Benndorf, K
,
Tucker, S
,
Baukrowitz, T
Aineistotyyppi:
Conference item
Julkaistu:
2014
Saatavuustiedot
Kuvaus
Muut versiot (2)
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Kuvaus
Yhteenveto:
Samankaltaisia teoksia
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Tekijä: Schewe, M, et al.
Julkaistu: (2014)
A Novel Mechanism of Voltage Sensing and Gating in K2P Potassium Channels
Tekijä: Schewe, M, et al.
Julkaistu: (2014)
A non-canonical voltage-sensing mechanism controls gating in K2P K(+) channels
Tekijä: Schewe, M, et al.
Julkaistu: (2016)
Insights into the structural nature of the transition state in the Kir channel gating pathway.
Tekijä: Fowler, P, et al.
Julkaistu: (2014)
H bonding at the helix-bundle crossing controls gating in Kir potassium channels.
Tekijä: Rapedius, M, et al.
Julkaistu: (2007)