A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Päätekijät: | Rapedius, M, Schewe, M, Nematian-Ardestani, E, Linke, T, Benndorf, K, Tucker, S, Baukrowitz, T |
---|---|
Aineistotyyppi: | Conference item |
Julkaistu: |
2014
|
Samankaltaisia teoksia
-
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Tekijä: Schewe, M, et al.
Julkaistu: (2014) -
A Novel Mechanism of Voltage Sensing and Gating in K2P Potassium Channels
Tekijä: Schewe, M, et al.
Julkaistu: (2014) -
A non-canonical voltage-sensing mechanism controls gating in K2P K(+) channels
Tekijä: Schewe, M, et al.
Julkaistu: (2016) -
Insights into the structural nature of the transition state in the Kir channel gating pathway.
Tekijä: Fowler, P, et al.
Julkaistu: (2014) -
H bonding at the helix-bundle crossing controls gating in Kir potassium channels.
Tekijä: Rapedius, M, et al.
Julkaistu: (2007)