A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
Автори: | Rapedius, M, Schewe, M, Nematian-Ardestani, E, Linke, T, Benndorf, K, Tucker, S, Baukrowitz, T |
---|---|
Формат: | Conference item |
Опубліковано: |
2014
|
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
A novel mechanism of voltage sensing and gating in K2P potassium channels
за авторством: Schewe, M, та інші
Опубліковано: (2014) -
A Novel Mechanism of Voltage Sensing and Gating in K2P Potassium Channels
за авторством: Schewe, M, та інші
Опубліковано: (2014) -
A non-canonical voltage-sensing mechanism controls gating in K2P K(+) channels
за авторством: Schewe, M, та інші
Опубліковано: (2016) -
Insights into the structural nature of the transition state in the Kir channel gating pathway.
за авторством: Fowler, P, та інші
Опубліковано: (2014) -
H bonding at the helix-bundle crossing controls gating in Kir potassium channels.
за авторством: Rapedius, M, та інші
Опубліковано: (2007)