Selective self-assembly and characterization of GaN nanopyramids on m-plane InGaN/GaN quantum disks.

Selective self-assembly and characterization of GaN nanopyramids on m-plane InGaN/GaN quantum disks.

Semiconductor nanopyramids (NPs) provide advantages in the development of novel functional optoelectronic devices due to their unique size-dependent properties. Here we demonstrate a new method for the fabrication of selectively self-assembled single-crystalline GaN NPs on the m-plane of periodicall...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Park, Y, Holmes, M, Taylor, R, Kim, K, Lee, S, Ju, H, Im, H
Формат:	Journal article
Мова:	English
Опубліковано:	2012

Схожі ресурси

Selective self-assembly and characterization of GaN nanopyramids on m-plane InGaN/GaN quantum disks (vol 23, 405602, 2012)
за авторством: Park, Y, та інші
Опубліковано: (2012)

Quantum confined Stark effect of InGaN/GaN multi-quantum disks grown on top of GaN nanorods.
за авторством: Park, Y, та інші
Опубліковано: (2010)

Linearly polarized photoluminescence of InGaN quantum disks embedded in GaN nanorods
за авторством: Park, Y, та інші
Опубліковано: (2018)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: Kyaw, Zabu, та інші
Опубліковано: (2014)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
за авторством: Sun, Xiaowei, та інші
Опубліковано: (2013)

Quantum confined carrier transition in a GaN/InGaN/GaN single quantum well bounded by AlGaN barriers
за авторством: Park, Y, та інші
Опубліковано: (2011)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
за авторством: Zhang, Zi-Hui, та інші
Опубліковано: (2013)

Carrier confinement effects of InxGa1-xN/GaN multi quantum disks with GaN surface barriers grown in GaN nanorods
за авторством: Park, Y, та інші
Опубліковано: (2018)

A study of the optical and polarisation properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on a-plane and m-plane GaN substrates
за авторством: Dmytro Kundys, та інші
Опубліковано: (2016-01-01)

Luminescence properties of isolated InGaN/GaN quantum dots
за авторством: Martin, R, та інші
Опубліковано: (2005)

Effect of InGaN/GaN superlattice as underlayer on characteristics of AlGaN/GaN HEMT
за авторством: Hideyuki Itakura, та інші
Опубліковано: (2020-02-01)

Optical studies of GaN nanocolumns containing InGaN quantum disks and the effect of strain relaxation on the carrier distribution
за авторством: Holmes, M, та інші
Опубліковано: (2012)

Optical studies of GaN nanocolumns containing InGaN quantum disks and the effect of strain relaxation on the carrier distribution
за авторством: Holmes, M, та інші
Опубліковано: (2012)

Reduction in the Photoluminescence Intensity Caused by Ultrathin GaN Quantum Barriers in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
за авторством: Wei Liu, та інші
Опубліковано: (2022-02-01)

Progress in the optical studies of single InGaN/GaN quantum dots
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2007)

Advantages of InGaN–GaN–InGaN Delta Barriers for InGaN-Based Laser Diodes
за авторством: Liwen Cheng, та інші
Опубліковано: (2021-08-01)

Patterned growth of InGaN/GaN quantum wells on freestanding GaN grating by molecular beam epitaxy
за авторством: Wang Yongjin, та інші
Опубліковано: (2011-01-01)

Carrier localization mechanisms in InGaN/GaN quantum wells
за авторством: Watson-Parris, D, та інші
Опубліковано: (2011)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2005)

Electrically driven single InGaN/GaN quantum dot emission
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2008)

Photoluminescence properties of a single GaN nanorod with GaN/AlGaN multilayer quantum disks
за авторством: Yi, SN, та інші
Опубліковано: (2007)

Multicolor Emission from Ultraviolet GaN-Based Photonic Quasicrystal Nanopyramid Structure with Semipolar In x Ga1−x N/GaN Multiple Quantum Wells
за авторством: Cheng-Chang Chen, та інші
Опубліковано: (2021-09-01)

On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: Zhang, Xueliang, та інші
Опубліковано: (2014)

Intensive measures of luminescence in GaN/InGaN heterostructures.
за авторством: Jui-Ju Hsiao, та інші
Опубліковано: (2019-01-01)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
за авторством: Haruka Matsuura, та інші
Опубліковано: (2019-04-01)

Investigations on the Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells with Varying GaN Cap Layer Thickness
за авторством: Xiaowei Wang, та інші
Опубліковано: (2020-10-01)

Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
за авторством: Ju, Zhen Gang, та інші
Опубліковано: (2016)

Growth of GaN@InGaN Core-Shell and Au-GaN Hybrid Nanostructures for Energy Applications
за авторством: Tevye Kuykendall, та інші
Опубліковано: (2009-01-01)

Oscillations in Absorption from InGaN/GaN Quantum Well to Continuum
за авторством: Marta Gładysiewicz-Kudrawiec, та інші
Опубліковано: (2025-01-01)

Ultrafast, polarized, single-photon emission from m-plane InGaN Quantum Dots on GaN nanowires
за авторством: Puchtler, T, та інші
Опубліковано: (2016)

The impact of point defects in n-type GaN layers on thermal decomposition of InGaN/GaN QWs
за авторством: Mikolaj Grabowski, та інші
Опубліковано: (2021-01-01)

Two-photon absorption from single InGaN/GaN quantum dots
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2006)

PN-type quantum barrier for InGaN/GaN light emitting diodes
за авторством: Zhang, Zi-Hui, та інші
Опубліковано: (2013)

Graded InGaN Buffers for Strain Relaxation in GaN/InGaN Epilayers Grown on sapphire
за авторством: Chua, Soo-Jin, та інші
Опубліковано: (2003)

Graded InGaN Buffers for Strain Relaxation in GaN/InGaN Epliayers Grown on Sapphire
за авторством: Song, T.L., та інші
Опубліковано: (2003)

Observation of self-assembled InGaN/GaN superlattice structure grown on N-polar GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy
за авторством: K. Khan, та інші
Опубліковано: (2021-12-01)

Regular red-green-blue InGaN quantum wells with In content up to 40% grown on InGaN nanopyramids
за авторством: Amélie Dussaigne, та інші
Опубліковано: (2024-12-01)

Two-photon absorption in single site-controlled InGaN/GaN quantum dots
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2005)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2007)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot.
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2007)