Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN

Παρόμοια τεκμήρια

• TEM investigations of Si ion-implanted GaN
  ανά: Zou, J, κ.ά.
  Έκδοση: (1998)
• Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
  ανά: Tan, H, κ.ά.
  Έκδοση: (1996)
• Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
  ανά: Tan, H, κ.ά.
  Έκδοση: (1996)
• Annealing of ion implanted gallium nitride
  ανά: Tan, H, κ.ά.
  Έκδοση: (1998)
• AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
  ανά: Justinas Jorudas, κ.ά.
  Έκδοση: (2020-12-01)