ADSORPTION, ETCHING AND PHOTOINDUCED REACTIONS AT THE SI(100)-CCL4 INTERFACE

ADSORPTION, ETCHING AND PHOTOINDUCED REACTIONS AT THE SI(100)-CCL4 INTERFACE

Показати інші версії (1)

Бібліографічні деталі
Автори:	French, C, Jackman, R, Price, R, Foord, J
Формат:	Journal article
Опубліковано:	1989

Схожі ресурси

Adsorption, etching and photo-induced reactions at the Si(100)-CCl 4 interface
за авторством: French, C, та інші
Опубліковано: (1989)

REACTION-MECHANISMS FOR THE PHOTON-ENHANCED ETCHING OF SEMICONDUCTORS - AN INVESTIGATION OF THE UV-STIMULATED INTERACTION OF CHLORINE WITH SI(100)
за авторством: Jackman, R, та інші
Опубліковано: (1986)

CHEMICAL PRECURSORS FOR GAAS ETCHING WITH LOW-ENERGY ION-BEAMS - CHLORINE ADSORPTION ON GAAS(100)
за авторством: Jackman, R, та інші
Опубліковано: (1991)

Surface studies of the interaction of Cl2 with InP(100)(4 × 2); an investigation of adsorption, thermal etching and ion beam assisted processes
за авторством: Murrell, A, та інші
Опубліковано: (1990)

SURFACE STUDIES OF THE INTERACTION OF CL-2 WITH INP(100)(4X2) - AN INVESTIGATION OF ADSORPTION, THERMAL ETCHING AND ION-BEAM ASSISTED PROCESSES
за авторством: Murrell, A, та інші
Опубліковано: (1990)

Surface spectroscopic and molecular beam studies of the reactions of trimethylaluminium on Si(100)
за авторством: Wee, A, та інші
Опубліковано: (1989)

SURFACE SPECTROSCOPIC AND MOLECULAR-BEAM STUDIES OF THE REACTIONS OF TRIMETHYLALUMINUM ON SI(100)
за авторством: Wee, A, та інші
Опубліковано: (1989)

STUDIES OF ADSORPTION AND ELECTRON-INDUCED DISSOCIATION OF FE(CO)5 ON SI(100)
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1986)

THE INTERACTION OF WF6 WITH SI(100) - THERMAL AND PHOTON INDUCED REACTIONS
за авторством: Jackman, R, та інші
Опубліковано: (1988)

THE INITIAL-STAGES OF DIAMOND GROWTH - AN ADSORPTION STUDY OF HOT-FILAMENT ACTIVATED METHANE AND HYDROGEN ON SI(100)
за авторством: Jackman, R, та інші
Опубліковано: (1993)

SEMICONDUCTOR SURFACE ETCHING BY HALOGENS - FUNDAMENTAL STEPS
за авторством: Jackman, R, та інші
Опубліковано: (1989)

Semiconductor surface etching by halogens: Fundamental steps
за авторством: Jackman, R, та інші
Опубліковано: (1989)

THE INTERACTION OF AZOMETHANE WITH SI(100)
за авторством: Loh, K, та інші
Опубліковано: (1995)

THERMAL AND ION-BEAM-INDUCED ETCHING OF INP WITH CHLORINE
за авторством: Murrell, A, та інші
Опубліковано: (1989)

Etching reactions of C2H5I on GaAs(100)
за авторством: Singh, N, та інші
Опубліковано: (1998)

Thermal and ion-beam-induced etching of InP with chlorine
за авторством: Murrell, A, та інші
Опубліковано: (1989)

THERMAL AND PHOTOCHEMICAL VAPOR-DEPOSITION OF FE FROM FE(CO)5 ON SI(100)
за авторством: Jackman, R, та інші
Опубліковано: (1989)

ELECTRON-BEAM STIMULATED CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION OF PATTERNED TUNGSTEN FILMS ON SI(100)
за авторством: Jackman, R, та інші
Опубліковано: (1986)

THE INTERACTION OF ATOMIC-HYDROGEN WITH ADSORBED ETHYLENE AND ACETYLENE ON SI(100)
за авторством: Chua, L, та інші
Опубліковано: (1994)

SURFACE SPECTROSCOPIC STUDIES OF THE INITIAL-STAGES OF DIAMOND GROWTH ON SI(100)
за авторством: Jackman, R, та інші
Опубліковано: (1993)

INVESTIGATIONS OF THE THERMAL-REACTIONS OF CHLORINE ON THE GAAS(100) SURFACE
за авторством: French, C, та інші
Опубліковано: (1991)

ETCHING MECHANISM OF CCl<sub>4</sub>-DOPED GaAs GROWN BY MOCVD
за авторством: Т. А. Bagaev, та інші
Опубліковано: (2013-08-01)

Mechanism and dynamics of the reaction of XeF2 with fluorinated Si(100): Possible role of gas phase dissociation of a surface reaction product in plasmaless etching
за авторством: Hefty, Robert C., та інші
Опубліковано: (2011)

Enhanced etching characteristics of Si{100} in NaOH-based two-component solution
за авторством: V. Swarnalatha, та інші
Опубліковано: (2022-08-01)

APPLICATIONS OF SURFACE SENSITIVE TECHNIQUES IN THE STUDY OF PHOTOCHEMICAL PROCESSING AT THE SOLID-GAS INTERFACE.
за авторством: Jackman, R, та інші
Опубліковано: (1986)

Chromones and bischromones: an account of photoinduced reactions
за авторством: Rupesh Kumar, та інші
Опубліковано: (2006-10-01)

THE ADSORPTION AND THERMAL-DECOMPOSITION OF HYDROGEN-SULFIDE ON GAAS(100)
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1994)

Fabrication of SiO2-based microcantilevers by anisotropic chemical etching of (100) single crystal Si
за авторством: VESNA JOVIC, та інші
Опубліковано: (2007-11-01)

THE ADSORPTION AND DECOMPOSITION OF GALLANE ADDUCTS ON GAAS (100)
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1993)

Electron Transfer Initiated Reactions Photoinduced by Pterins
за авторством: Lorente Carolina, та інші
Опубліковано: (2011-02-01)

Photoinduced Electron-transfer Reaction of Pentafluoroiodobenzene with Alkenes
за авторством: Qing-Yun Chen, та інші
Опубліковано: (1997-01-01)

ATOMIC SCALE CHEMISTRY OF CO- AND NI-SI(100) INTERFACES
за авторством: Cerezo, A, та інші
Опубліковано: (1991)

ATOMIC SCALE CHEMISTRY OF CO- AND NI-SI(100) INTERFACES
за авторством: Cerezo, A, та інші
Опубліковано: (1991)

Fabrication of Sio2-based microcantilevers by anisotropic chemical etching of (100) single crystal Si
за авторством: Jović Vesna, та інші
Опубліковано: (2007-01-01)

AN INVESTIGATION OF THE ADSORPTION AND DECOMPOSITION OF PH3 AND NH3 ON GAAS(100)
за авторством: Singh, N, та інші
Опубліковано: (1992)

Analysis and Control of Ultrafast Photoinduced Reactions [electronic resource] /
за авторством: Kuhn, O. 482742, та інші
Опубліковано: (2007)

Carbon Dots Based Photoinduced Reactions: Advances and Perspective
за авторством: Yue Yu, та інші
Опубліковано: (2023-04-01)

Reactivity of sulfur centered nucleophiles in photoinduced reactions with 1-bromonaphthalene
за авторством: Juan E. Argüello, та інші
Опубліковано: (2003-10-01)

A COMPARATIVE-STUDY OF THE ADSORPTION OF HOT-FILAMENT ACTIVATED HYDROCARBONS ON SILICON, GALLIUM-ARSENIDE AND CVD DIAMOND
за авторством: Chua, L, та інші
Опубліковано: (1994)

CHEMISORPTION AND CORROSION AT THE METAL HALOGEN INTERFACE - OVERLAYER GROWTH AND COMPOUND FORMATION BY BROMINE ON CR(100)
за авторством: Reed, A, та інші
Опубліковано: (1983)