ATOM-PROBE FIELD-ION MICROSCOPE STUDIES OF PALLADIUM SILICIDE ON SILICON
Palladium silicide coated silicon specimens have been formed by thermally evaporating palladium onto clean field evaporated n-type silicon (100) tips. The thin palladium overlayer is reacted to form palladium silicide by thermal annealing at 675 K. The tips were studied by field ion imaging, pulsed...
Հիմնական հեղինակներ: | King, R, Mackenzie, R, Smith, G, Cade, N |
---|---|
Ձևաչափ: | Conference item |
Հրապարակվել է: |
1995
|
Նմանատիպ նյութեր
-
FIELD-EMISSION AND ATOM-PROBE FIELD-ION MICROSCOPE STUDIES OF PALLADIUM-SILICIDE-COATED SILICON EMITTERS
: King, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1995) -
FIELD-EMISSION AND ATOM-PROBE FIELD-ION MICROSCOPE STUDIES OF PALLADIUM SILICIDE COATED SILICON EMITTERS
: King, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1994) -
FIELD-EMISSION AND ATOM-PROBE FIELD-ION MICROSCOPE ANALYSIS OF GRIDDED SILICON FIELD EMITTERS
: Huang, M, և այլն
Հրապարակվել է: (1994) -
ATOM-PROBE ANALYSIS AND FIELD-EMISSION STUDIES OF SILICON
: King, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1994) -
FIELD-ION MICROSCOPE ATOM PROBE STUDIES OF METALLIC GLASSES
: Bhatti, A, և այլն
Հրապարակվել է: (1985)