Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
Electronic structure at realis...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Giustino, F
,
Bongiorno, A
,
Pasquarello, A
Médium:
Conference item
Vydáno:
2004
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
Autor: Giustino, F, a další
Vydáno: (2005)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
Autor: Giustino, F, a další
Vydáno: (2005)
Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
Autor: Godet, J, a další
Vydáno: (2007)
Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
Autor: Giustino, F, a další
Vydáno: (2002)
Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
Autor: Giustino, F, a další
Vydáno: (2005)