İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
Electronic structure at realis...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
Electronic structure at realistic Si(100)-SiO2 interfaces
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Giustino, F
,
Bongiorno, A
,
Pasquarello, A
Materyal Türü:
Conference item
Baskı/Yayın Bilgisi:
2004
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Benzer Materyaller
Atomistic models of the Si(100)-SiO(2) interface: structural, electronic and dielectric properties
Yazar:: Giustino, F, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)
Atomic-scale modelling of the Si(100)-SiO(2) interface
Yazar:: Giustino, F, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)
Proton-induced fixed positive charge at the Si(100)-SiO2 interface.
Yazar:: Godet, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007)
Modeling of Si 2p core-level shifts at Si-(ZrO(2))(x)(SiO(2))(1-x) interfaces
Yazar:: Giustino, F, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2002)
Infrared spectra at surfaces and interfaces from first principles: evolution of the spectra across the Si(100)-SiO2 interface.
Yazar:: Giustino, F, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2005)