EFFECTS OF HIGH UNIAXIAL STRESS ON FAR INFRA-RED IMPURITY SPECTRA OF HIGH-PURITY NORMAL-TYPE AND PARA-TYPE SILICON

Bibliografiset tiedot
Päätekijät: Cooke, R, Nicholas, R, Stradling, R, Portal, J, Askenazy, S
Aineistotyyppi: Journal article
Julkaistu: 1978