Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
Bias-dependent STM investigati...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Norenberg, H
,
Bowler, DR
,
Briggs, G
Aineistotyyppi:
Conference item
Julkaistu:
1998
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Samankaltaisia teoksia
ADSORPTION OF TRIMETHYLGALLIUM ON SEMICONDUCTOR SURFACES - STM OBSERVATIONS
Tekijä: Mayne, A, et al.
Julkaistu: (1993)
An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
Tekijä: Norenberg, H, et al.
Julkaistu: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
Tekijä: Owen, J, et al.
Julkaistu: (1997)
IDENTIFICATION OF THE SI(001) MISSING DIMER DEFECT STRUCTURE BY LOW-BIAS VOLTAGE STM AND LDA MODELING
Tekijä: Owen, J, et al.
Julkaistu: (1995)
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
Tekijä: Goldfarb, I, et al.
Julkaistu: (1999)