Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
Bias-dependent STM investigati...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Norenberg, H
,
Bowler, DR
,
Briggs, G
Format:
Conference item
Wydane:
1998
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
ADSORPTION OF TRIMETHYLGALLIUM ON SEMICONDUCTOR SURFACES - STM OBSERVATIONS
od: Mayne, A, i wsp.
Wydane: (1993)
An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
od: Norenberg, H, i wsp.
Wydane: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
od: Owen, J, i wsp.
Wydane: (1997)
IDENTIFICATION OF THE SI(001) MISSING DIMER DEFECT STRUCTURE BY LOW-BIAS VOLTAGE STM AND LDA MODELING
od: Owen, J, i wsp.
Wydane: (1995)
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
od: Goldfarb, I, i wsp.
Wydane: (1999)