Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Bias-dependent STM investigati...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures
Библиографические подробности
Главные авторы:
Norenberg, H
,
Bowler, DR
,
Briggs, G
Формат:
Conference item
Опубликовано:
1998
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
ADSORPTION OF TRIMETHYLGALLIUM ON SEMICONDUCTOR SURFACES - STM OBSERVATIONS
по: Mayne, A, и др.
Опубликовано: (1993)
An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
по: Norenberg, H, и др.
Опубликовано: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
по: Owen, J, и др.
Опубликовано: (1997)
IDENTIFICATION OF THE SI(001) MISSING DIMER DEFECT STRUCTURE BY LOW-BIAS VOLTAGE STM AND LDA MODELING
по: Owen, J, и др.
Опубликовано: (1995)
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
по: Goldfarb, I, и др.
Опубликовано: (1999)