Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Vsa polja
Naslov
Avtor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Išči
Napredno
Bias-dependent STM investigati...
Citiraj
Pošljite SMS
Pošljite email
Natisni
Izvozi zadetek
Izvozi v RefWorks
Izvozi v EndNoteWeb
Izvozi v EndNote
Permanent link
Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures
Bibliografske podrobnosti
Main Authors:
Norenberg, H
,
Bowler, DR
,
Briggs, G
Format:
Conference item
Izdano:
1998
Zaloga
Opis
Podobne knjige/članki
Knjižničarski pogled
Podobne knjige/članki
ADSORPTION OF TRIMETHYLGALLIUM ON SEMICONDUCTOR SURFACES - STM OBSERVATIONS
od: Mayne, A, et al.
Izdano: (1993)
An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
od: Norenberg, H, et al.
Izdano: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
od: Owen, J, et al.
Izdano: (1997)
IDENTIFICATION OF THE SI(001) MISSING DIMER DEFECT STRUCTURE BY LOW-BIAS VOLTAGE STM AND LDA MODELING
od: Owen, J, et al.
Izdano: (1995)
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
od: Goldfarb, I, et al.
Izdano: (1999)