Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
Magnetophotoluminescence of Ga...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Shields, P
,
Nicholas, R
,
Grandjean, N
,
Massies, J
Format:
Journal article
Wydane:
2001
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
Observation of magnetophotoluminescence from a GaN/AlxGa1-xN heterojunction
od: Shields, P, i wsp.
Wydane: (2002)
Critical parameters for the presence of a 2DEG in GaN/AlxGa1−xN heterostructures
od: T. Scheinert, i wsp.
Wydane: (2019-12-01)
Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for AlxGa1−xN/GaN HEMT
od: Jing Cai, i wsp.
Wydane: (2024-03-01)
Insight into the physical mechanism of AlxGa1−xN electron blocking layer in GaN-based light emitting diodes
od: Juanli Zhao, i wsp.
Wydane: (2018-10-01)
Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator
od: Bera, L. K., i wsp.
Wydane: (2014)