Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Magnetophotoluminescence of Ga...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies
Библиографические подробности
Главные авторы:
Shields, P
,
Nicholas, R
,
Grandjean, N
,
Massies, J
Формат:
Journal article
Опубликовано:
2001
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
Observation of magnetophotoluminescence from a GaN/AlxGa1-xN heterojunction
по: Shields, P, и др.
Опубликовано: (2002)
Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for AlxGa1−xN/GaN HEMT
по: Jing Cai, и др.
Опубликовано: (2024-03-01)
Effect of Ge diffusion on AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on a thin silicon-on-insulator
по: Bera, L. K., и др.
Опубликовано: (2014)
Effect of oxygen on the crystallinity and defect state of AlxGa1−xN epilayers
по: Chang Wan Ahn, и др.
Опубликовано: (2023-01-01)
Microstructural characterization of AlxGa1−xN/GaN high electron mobility transistor layers on 200 mm Si(111) substrates
по: Aabdin, Zainul, и др.
Опубликовано: (2024)