Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
Dynamics of localized carriers...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
Dynamics of localized carriers in InGaN multi-quantum wells
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Kyhm, K
,
Taylor, R
Format:
Journal article
Publicat:
2006
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
Time-resolved gain saturation dynamics in InGaN multi-quantum well structures
per: Kyhm, K, et al.
Publicat: (2004)
Time-resolved gain saturation dynamics in InGaN multi-quantum well structures
per: Kyhm, K, et al.
Publicat: (2004)
Carrier localization mechanisms in InGaN/GaN quantum wells
per: Watson-Parris, D, et al.
Publicat: (2011)
Dependence of carrier localization in InGaN/GaN multiple-quantum wells on well thickness
per: Na, J, et al.
Publicat: (2006)
Dependence of carrier localization in InGaN/GaN multiple-quantum wells on well thickness
per: Na, J, et al.
Publicat: (2006)