Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Vsa polja
Naslov
Avtor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Išči
Napredno
Growth of silicon carbide on g...
Citiraj
Pošljite SMS
Pošljite email
Natisni
Izvozi zadetek
Izvozi v RefWorks
Izvozi v EndNoteWeb
Izvozi v EndNote
Permanent link
导出完成 —
Growth of silicon carbide on graphene by hot mesh chemical vapor deposition [electronic resource] /
Thesis (Ph.D (Kejuruteraan Elektrik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2013
Bibliografske podrobnosti
Glavni avtor:
Budi Astuti, 1979-, author
Format:
Jezik:
eng
Izdano:
2013
Teme:
Transistors
Zaloga
Opis
Podobne knjige/članki
Knjižničarski pogled
Podobne knjige/članki
Growth of silicon carbide on graphene by hot mesh chemical vapor deposition /
od: Budi Astuti, 1979-, author, et al.
Izdano: (2013)
Graphene Film Growth on Silicon Carbide by Hot Filament Chemical Vapor Deposition
od: Sandra Rodríguez-Villanueva, et al.
Izdano: (2022-09-01)
Graphene-on-Insulator Transistors Made Using C on Ni Chemical-Vapor Deposition
od: Keast, Craig L., et al.
Izdano: (2010)
Deposition polycrystalline diamond on silicon nitride and tungsten carbide by using hot filament chemical vapor deposition [electronic resource] /
od: Chee, Kevin Mun Fai, 1985-
Izdano: (2009)
Deposition polycrystalline diamond on silicon nitride and tungsten carbide by using hot filament chemical vapor deposition /
od: Chee, Kevin Mun Fai, 1985-, et al.
Izdano: (2009)