تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
Electrical and structural anal...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Zolper, J
,
Tan, H
,
Williams, J
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Pearton, S
,
Crawford, M
,
Karlicek, R
التنسيق:
Journal article
منشور في:
1997
المقتنيات
الوصف
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
مواد مشابهة
TEM investigations of Si ion-implanted GaN
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1998)
Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation
حسب: Tan, H, وآخرون
منشور في: (1996)
Ion implantation processing of GaN epitaxial layers
حسب: Tan, H, وآخرون
منشور في: (1996)
Annealing of ion implanted gallium nitride
حسب: Tan, H, وآخرون
منشور في: (1998)
AlGaN/GaN on SiC Devices without a GaN Buffer Layer: Electrical and Noise Characteristics
حسب: Justinas Jorudas, وآخرون
منشور في: (2020-12-01)