Linearly polarized photoluminescence of InGaN quantum disks embedded in GaN nanorods

Linearly polarized photoluminescence of InGaN quantum disks embedded in GaN nanorods

We have investigated the emission from InGaN/GaN quantum disks grown on the tip of GaN nanorods. The emission at 3.21 eV from the InGaN quantum disk doesn't show a Stark shift, and it is linearly polarized when excited perpendicular to the growth direction. The degree of linear polarization is...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Park, Y, Chan, C, Nuttall, L, Puchtler, T, Taylor, R, Kim, N, Jo, Y, Im, H
التنسيق:	Journal article
اللغة:	English
منشور في:	Nature Publishing Group 2018

مواد مشابهة

Photoluminescence properties of a single GaN nanorod with GaN/AlGaN multilayer quantum disks
حسب: Yi, SN, وآخرون
منشور في: (2007)

Quantum confined Stark effect of InGaN/GaN multi-quantum disks grown on top of GaN nanorods.
حسب: Park, Y, وآخرون
منشور في: (2010)

Carrier confinement effects of InxGa1-xN/GaN multi quantum disks with GaN surface barriers grown in GaN nanorods
حسب: Park, Y, وآخرون
منشور في: (2018)

Selective self-assembly and characterization of GaN nanopyramids on m-plane InGaN/GaN quantum disks.
حسب: Park, Y, وآخرون
منشور في: (2012)

Photoluminescence of Single GaN/InGaN Nanorod Light Emitting Diode Fabricated on a Wafer Scale
حسب: Chan, C, وآخرون
منشور في: (2013)

Micro- and Time-resolved Photoluminescence in GaN Nanorods with Different Diameters
حسب: Park, Y, وآخرون
منشور في: (2010)

Selective self-assembly and characterization of GaN nanopyramids on m-plane InGaN/GaN quantum disks (vol 23, 405602, 2012)
حسب: Park, Y, وآخرون
منشور في: (2012)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
حسب: Kyaw, Zabu, وآخرون
منشور في: (2014)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
حسب: Sun, Xiaowei, وآخرون
منشور في: (2013)

Ultrafast, polarized, single-photon emission from m-plane InGaN Quantum Dots on GaN nanowires
حسب: Puchtler, T, وآخرون
منشور في: (2016)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
حسب: Oliver, R, وآخرون
منشور في: (2005)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
حسب: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2013)

Quantum confined carrier transition in a GaN/InGaN/GaN single quantum well bounded by AlGaN barriers
حسب: Park, Y, وآخرون
منشور في: (2011)

On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes
حسب: Zhang, Xueliang, وآخرون
منشور في: (2014)

InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction
حسب: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2013)

Abnormal photoluminescence properties of GaN nanorods grown on Si(111) by molecular-beam epitaxy.
حسب: Park, Y, وآخرون
منشور في: (2008)

Graded InGaN Buffers for Strain Relaxation in GaN/InGaN Epilayers Grown on sapphire
حسب: Chua, Soo-Jin, وآخرون
منشور في: (2003)

Graded InGaN Buffers for Strain Relaxation in GaN/InGaN Epliayers Grown on Sapphire
حسب: Song, T.L., وآخرون
منشور في: (2003)

Optical studies of GaN nanocolumns containing InGaN quantum disks and the effect of strain relaxation on the carrier distribution
حسب: Holmes, M, وآخرون
منشور في: (2012)

Optical studies of GaN nanocolumns containing InGaN quantum disks and the effect of strain relaxation on the carrier distribution
حسب: Holmes, M, وآخرون
منشور في: (2012)

Effects of Surface Recombination on Exciton Dynamics in GaN Nanorods
حسب: Park, Y, وآخرون
منشور في: (2009)

Theoretical and experimental analysis of radiative recombination lifetimes in nonpolar InGaN/GaN quantum dots
حسب: Kanta Patra, S, وآخرون
منشور في: (2017)

Carrier dynamics of InxGa1-xN quantum disks embedded in GaN nanocolumns
حسب: Holmes, M, وآخرون
منشور في: (2011)

Carrier dynamics of InxGa1-xN quantum disks embedded in GaN nanocolumns
حسب: Holmes, M, وآخرون
منشور في: (2011)

Magneto-photoluminescence of AlGaN/GaN quantum wells
حسب: Shields, P, وآخرون
منشور في: (2001)

The influence of ammonia on the growth mode in InGaN/GaN heteroepitaxy
حسب: Oliver, R, وآخرون
منشور في: (2004)

Luminescence properties of isolated InGaN/GaN quantum dots
حسب: Martin, R, وآخرون
منشور في: (2005)

Carrier localization mechanisms in InGaN/GaN quantum wells
حسب: Watson-Parris, D, وآخرون
منشور في: (2011)

Optical studies of quantum dot-like emission from localisation centres in InGaN/GaN nanorod array LEDs
حسب: Chan, C, وآخرون
منشور في: (2012)

GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization.
حسب: Park, Y, وآخرون
منشور في: (2011)

Time-resolved and time-integrated photoluminescence studies of coupled asymmetric GaN quantum discs embedded in AlGaN barriers
حسب: Na, J, وآخرون
منشور في: (2005)

GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization
حسب: Park, Y, وآخرون
منشور في: (2011)

Origins of Spectral Diffusion in the Micro-Photoluminescence of Single InGaN Quantum Dots
حسب: Reid, B, وآخرون
منشور في: (2013)

Dependence of carrier localization in InGaN/GaN multiple-quantum wells on well thickness
حسب: Na, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Evidence for impact ionisation in AlGaN/GaN HEMTs with InGaN back-barrier
حسب: Palacios, Tomas, وآخرون
منشور في: (2012)

Dependence of carrier localization in InGaN/GaN multiple-quantum wells on well thickness
حسب: Na, J, وآخرون
منشور في: (2006)

A hole accelerator for InGaN/GaN light-emitting diodes
حسب: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2014)

Electrically driven single InGaN/GaN quantum dot emission
حسب: Jarjour, A, وآخرون
منشور في: (2008)

A hole modulator for InGaN/GaN light-emitting diodes
حسب: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2015)

Progress in the optical studies of single InGaN/GaN quantum dots
حسب: Jarjour, A, وآخرون
منشور في: (2007)